Transistor 2N700

Technische Daten:

Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 0.2A
Drainstrom im Impuls 0.5A
Verlustleistung 0.4W
Gehäuse TO92
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 9O
Montage THT
Kanal-Art stark

Kundenrezensionen

Leider sind noch keine Bewertungen vorhanden. Seien Sie der Erste, der das Produkt bewertet.

Diesen Artikel haben wir am Friday, 28. May 2021 in den Shop aufgenommen.

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte die Homepage zu diesem Artikel.