Transistor 2N700

Technische Daten:

Transistor-Typ N-MOSFET
Polarisierung unipolar
Drain-Source Spannung 60V
Drainstrom 0.2A
Drainstrom im Impuls 0.5A
Verlustleistung 0.4W
Gehäuse TO92
Gate-Source Spannung ±20V
Widerstand im Leitungszustand 9O
Montage THT
Kanal-Art stark

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